Powered by Made-in-China.com
ข้อมูลสินค้า
การปรับแต่ง
มีอยู่ประเภทการนำไฟฟ้าได้
วงจรรวมไอซียูโนโพลาร์การผสานรวม
GSIไม่ใช่ ของรุ่น
AT24C04รูปร่าง
แบนเทคนิคส์
วงจรฟิล์มหนาแพคเพจการขนส่ง
ท่อข้อมูลจำเพาะ
/ที่มา
จีนคุณสมบัติหลัก
บริการแบบครบวงจร: ครอบคลุมทั้งการผลิตแผงวงจรพิมพ์ (PCB) และการประกอบชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ (PCBA) เพื่อให้ได้โซลูชันที่สมบูรณ์
การสนับสนุนการออกแบบตามความต้องการ: รองรับการออกแบบตามความต้องการ, การสร้างต้นแบบ, และการผลิตจำนวนมาก เพื่อตอบสนองความต้องการที่หลากหลาย
การทดสอบคุณภาพที่เข้มงวด: มั่นใจในประสิทธิภาพการใช้งานที่เสถียรและยาวนานผ่านการควบคุมคุณภาพอย่างเข้มงวด
ความสามารถในการผลิตแผงวงจรพิมพ์หลายชั้น: ให้บริการสร้างต้นแบบและการผลิตจำนวนมากสำหรับแผงวงจรพิมพ์หลายชั้น
การประกอบชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ (SMT) ที่ใช้พลังงานสูง: เชี่ยวชาญด้านการบัดกรี IGBT ที่ใช้พลังงานสูง และให้บริการ OEM สำหรับกระบวนการประกอบ PCBA แบบครบวงจร
การปรับแต่งที่ยืดหยุ่น: ให้บริการปรับแต่งทั้งแบบเต็มรูปแบบ, ปรับเปลี่ยนเล็กน้อย, และปรับแต่งตามความต้องการ โดยอ้างอิงจากตัวอย่างหรือแบบ
ขอบเขตการใช้งานที่กว้าง: ให้บริการแก่ผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค, ระบบควบคุมอุตสาหกรรม, การสื่อสาร, และผลิตภัณฑ์อัจฉริยะ
ระยะเวลาการผลิตที่รวดเร็ว: ระยะเวลาการผลิตทั้งในช่วงฤดูที่มีความต้องการสูงและช่วงนอกฤดู อยู่ภายใน 15 วันทำการ
ข้อมูลบริษัท
ผ่านรับรองประเภทของธุรกิจ: บริษัทการค้า ผ่านรับรองตัวเลือกการปรับแต่ง: การปรับแต่งจากตัวอย่าง, การปรับแต่งจากการออกแบบ, etc.เริ่มส่งออกเมื่อ: 2026-06-01 ผ่านรับรองท่าเรือที่ใกล้ที่สุด: Shenzhen Portเวลาตอบสนองโดยเฉลี่ย: ≤24hเงื่อนไขการชำระเงิน: LC, T/T, D/P, etc.
เกี่ยวกับโรงงานของเรา & ข้อมูลเบื้องต้นเกี่ยวกับธุรกิจ
ที่อยู่Shenzhen, Guangdong, China
ข้อกำหนดทางการค้าระหว่างประเทศ (Incoterms)FOB, อื่นๆ, FCA, EXW, CFR, เลขประจำตัวผู้เสียภาษี, DAT, FAS, DDP, DAP, CIP, CPT
ระยะเวลาการรอระยะเวลาการรอสูงสุดในฤดูกาล: หนึ่งเดือน, ระยะเวลาการรอสูงสุดนอกฤดูกาล, ภายใน 15 วันทำการ
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ50 Pcs
พันธมิตรในห่วงโซ่อุปทาน4
ศักยภาพการผลิตของเรา & ความเชี่ยวชาญทางเทคนิค
สินค้าหลักผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์, หน่วยความจำแฟลช, หน่วยความจำแรม
วิศวกรวิจัยและพัฒนา (R&D)1 people
ประสบการณ์ในอุตสาหกรรมของเรา & บันทึกธุรกิจระดับโลก
ปีที่ก่อตั้ง2025-07-09
ตลาดหลักอเมริกาเหนือ, อเมริกาใต้, ยุโรปตะวันออก, เอเชียตะวันออกเฉียงใต้, แอฟริกา, โอเชียเนีย, ตะวันออกกลาง, เอเชียตะวันออก, ยุโรปตะวันตก
ตัวเลือกยอดนิยมจากผู้ซื้อซ้ำ30%~50%
จำนวนพนักงานฝ่ายการค้าระหว่างประเทศ2
ตัวแทน/สาขา ต่างประเทศไม่ใช่
ผลิตภัณฑ์ใหม่ที่เปิดตัวในปีที่ผ่านมาไม่ใช่
ผลิตภัณฑ์ Q&A
Q:คุณให้บริการอะไรบ้าง?
A:
เราให้บริการครบวงจร ตั้งแต่การผลิตแผงวงจรพิมพ์ การบัดกรีอุปกรณ์ และการประมวลผลแผงวงจรสำเร็จรูป
Q:คุณรองรับการออกแบบตามความต้องการของลูกค้าหรือไม่?
A:
ใช่ เรารองรับการออกแบบตามความต้องการของลูกค้า การสร้างต้นแบบ และการผลิตจำนวนมาก เพื่อตอบสนองความต้องการที่หลากหลาย
Q:ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำคือเท่าไร?
A:
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำคือ 50 ชิ้น
Q:ระยะเวลาในการผลิตนานเท่าไร?
A:
ระยะเวลาในการผลิตคือภายใน 15 วันทำการ ทั้งในช่วงฤดูที่มีความต้องการสูงและช่วงเวลาปกติ
Q:คุณรับวิธีการชำระเงินแบบใดบ้าง?
A:
เรายอมรับการชำระเงินผ่านเลตเตอร์ออฟเครดิต (LC), การโอนเงิน (T/T), การชำระเงินเมื่อส่งมอบสินค้า (D/P), PayPal, Western Union และการชำระเงินจำนวนน้อย
ส่งแบบสอบถาม
*ถึง:
Shenzhen Leruan Electronics Co., Ltd.
Shenzhen Leruan Electronics Co., Ltd.*เนื้อหา:
ซัพพลายเออร์จะส่งคำตอบไปที่ อีเมลที่คุณลงทะเบียนไว้
คุณอาจสนใจสิ่งเหล่านี้ด้วย
ชิปไอซีหน่วยความจำแฟลช SMD W25X40clsnig
US$0.01-1.00
1 บางส่วน(MOQ)
หน่วยความจำแฟลช NAND ความหนาแน่นสูงสำหรับแผงวงจรของไดรฟ์สถานะแข็ง
US$11.60
20 ชิ้น(MOQ)
ต้นฉบับ W9825g6kh-6 256MB ขนาน 166 เมกะเฮิร์ตซ์ 5ns หน่วยความจำ SDRAM W9825g6
US$0.70
108 ชิ้น(MOQ)
Mt29f2g01abagdwb-It: จี Mt29f2g01 Mt29f1g01 2gbit สปิ นานด์ แฟลช เมมโมรี ไอซี ชิป
US$0.50
1 บางส่วน(MOQ)
การจัดส่งหน่วยความจำแฟลช NAND จากโรงงาน ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์จำนวนมาก
US$9.50
100 ชิ้น(MOQ)
W634gu6rb-11 DDR3l ชิปหน่วยความจำ Sdram 4gbit ชิป DRAM ความเร็วสูงและใช้พลังงานต่ำ
US$35.9999
1 บางส่วน(MOQ)
32mbit ชิปหน่วยความจำแฟลชแบบ SPI W25q32jvssiq ชิปเก็บข้อมูลความเร็วสูง
US$0.4345
1 บางส่วน(MOQ)
ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND ดั้งเดิม SLC MLC TLC
US$9.50
100 ชิ้น(MOQ)
แฟลช IC ของ Alliance Memory Mt25ql128ABA1ew9-0sit Js28f128p33bf70A Mt25ql128ABA8esf-0aat PC28f00bp30efa
US$0.10-1.00
1,000 ชิ้น(MOQ)
ชิปหน่วยความจำ, ไอซีแฟลช W25q128jvsiq W25q64jvssiq Icm-42688-P At7456e
US$0.10-0.25
100 ชิ้น(MOQ)
16GB และ 24GB ชิปหน่วยความจำ DRAM สำหรับ Hbm3 ระบบ
US$94.905-322.905
10 ชิ้น(MOQ)
MB85RC256vpnf-G-Jnere1 256kbit I2c ชิปหน่วยความจำสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
US$0.1748-189.905
500 ชิ้น(MOQ)
เซ็นเซอร์อินฟราเรด PIR ควบคุม IC ราคาถูก (Biss0001)
US$0.06-0.10
1,000 ชิ้น(MOQ)
ชิปประมวลผลสัญญาณควบคุมอินฟราเรด PIR SMD Biss0001 IC PIR
US$0.15
1,000 ชิ้น(MOQ)
At24c04 โปรแกรมเมอร์หน่วยความจำ SMD
US$0.30
10 ชิ้น(MOQ)
ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND แบบติดตั้งบนพื้นผิว
US$9.20
50 ชิ้น(MOQ)
ไอซีหน่วยความจำ FLASH NOR M25PE80-VMW6TG
US$1.54-1.90
1,000 ชิ้น(MOQ)