Powered by Made-in-China.com
ข้อมูลสินค้า
ประเภทการนำไฟฟ้าได้
วงจรรวมไอซียูโนโพลาร์การผสานรวม
GSIเทคนิคส์
วงจรฟิล์มหนาไม่ใช่ ของรุ่น
AT24C04ความจุในการเก็บภาพ
4 kbitสถานะปราศจากสารตะกั่ว
เป็นไปตามข้อกำหนด RoHSประเภทอินเตอร์เฟซ
แบบอนุกรม , 2 สาย , I2Cประเภทผลิตภัณฑ์
ลบแบบอ่านอย่างเดียวที่ตั้งโปรแกรมได้แรงดันของแหล่งจ่ายไฟขณะทำงาน
1.8 V, 2.7 Vหมายเลขผลิตภัณฑ์
ที่ 24c04ประเภท
หน่วยความจำวงจรในตัว (ics circuitแพ็คเกจ
เทปและม้วน ( ชุด )รูปแบบหน่วยความจำ
EEPROMเทคโนโลยี
EEPROMผลิตภัณฑ์
ที่ 24c04เวลาการเข้าถึง
550 nsรูปทรง
แบนราบแพคเพจการขนส่ง
ท่อเครื่องหมายการค้า
ต้นฉบับกำลังการผลิต
10000ข้อมูลบริษัท
ผ่านรับรองประเภทของธุรกิจ: บริษัทการค้าเริ่มส่งออกเมื่อ: 2000-04-02 ผ่านรับรองท่าเรือที่ใกล้ที่สุด: Shenzhen Portเวลาตอบสนองโดยเฉลี่ย: ≤15h ผ่านรับรองเงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, PayPal, Western Union ผ่านรับรองข้อกำหนดทางการค้าระหว่างประเทศ (Incoterms): EXW
เกี่ยวกับโรงงานของเรา & ข้อมูลเบื้องต้นเกี่ยวกับธุรกิจ
ที่อยู่Room 1906-1908, Dingcheng Int'l Building, Zhonghang Road, Futian District, Shenzhen, Guangdong, China
พื้นที่โรงงาน250 ตารางเมตร
จำนวนพนักงาน18
ทุนจดทะเบียน500,000 RMB
ระยะเวลาการรอระยะเวลาการรอสูงสุดในฤดูกาล: หนึ่งเดือน, ระยะเวลาการรอสูงสุดนอกฤดูกาล, ภายใน 15 วันทำการ
ศักยภาพการผลิตของเรา & ความเชี่ยวชาญทางเทคนิค
สินค้าหลักทรานซิสเตอร์, ไอซี, รีคติฟายเออร์
ประสบการณ์ในอุตสาหกรรมของเรา & บันทึกธุรกิจระดับโลก
ปีที่ก่อตั้ง2008-09-17
ตลาดหลักอเมริกาใต้, ยุโรป, เอเชียตะวันออกเฉียงใต้/ตะวันออกกลาง, เอเชียใต้
จำนวนพนักงานฝ่ายการค้าระหว่างประเทศ7
ตัวแทน/สาขา ต่างประเทศไม่ใช่
ส่งแบบสอบถาม
*ถึง:Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.
Shenzhen Jin Da Peng Technology Co., Ltd.*เนื้อหา:
ซัพพลายเออร์จะส่งคำตอบไปที่ อีเมลที่คุณลงทะเบียนไว้
คุณอาจสนใจสิ่งเหล่านี้ด้วย
ชิปไอซีหน่วยความจำแฟลช SMD W25X40clsnig
US$0.01-1.00
1 บางส่วน(MOQ)
ต้นฉบับ W25q512jvfim แฟลชนอร์หน่วยความจำ IC 512mbit สไปควอด I/O 133MHz W25q512
US$0.50
100 ชิ้น(MOQ)
หน่วยความจำ SRAM แบบสองพอร์ตความเร็วสูงสำหรับการจัดเก็บข้อมูลอย่างมีประสิทธิภาพ
US$63.2131
1 บางส่วน(MOQ)
ต้นฉบับ Klm4g1fete-B041 Klm8g1getf-B041 หน่วยความจำ IC
US$1.20
100 ชิ้น(MOQ)
Sak-Tc222s-16f133n ชิปหน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์โมดูลส่วนประกอบ
US$0.50-16.00
1 บางส่วน(MOQ)
ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND ที่มีอัตราความล้มเหลวต่ำสำหรับการจัดเก็บข้อมูลผู้บริโภค
US$11.60
20 ชิ้น(MOQ)
W25q32jvzpiq ไอซีหน่วยความจำแฟลช SPI ที่มี 32MB การจัดเก็บ Nor
US$0.6571
1 บางส่วน(MOQ)
W25q64jvssim W25q64jvssiq W25q64jv 64mbit ชิปหน่วยความจำแฟลชแบบสปิ
US$0.50
1 บางส่วน(MOQ)
แบรนด์ต้นฉบับชิ้นส่วน SMD Sot23-6 223b IC Ttp223-Ba6
US$0.05-2.00
2 ชิ้น(MOQ)
W25X40clssig ไอซีหน่วยความจำแฟลช SPI 4MB วงจรรวมแฟลชแบบอนุกรม
US$0.4934
1 บางส่วน(MOQ)
IC 2m-Bit หน่วยความจำแฟลชแบบอนุกรมสำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
US$0.0675-14.155
100 ชิ้น(MOQ)
หน่วยความจำแฟลช NAND อายุการใช้งานยาวนาน 3D ชิปแฟลช NAND
US$11.60
20 ชิ้น(MOQ)
หน่วยความจำแบบเพิ่มเท่านั้น Ds2502r EPROM 1kb
US$0.0675-14.155
100 ชิ้น(MOQ)
24LC02bt-I/Sn ซีเรียล อีอี ไอซี สำหรับหน่วยความจำและการจัดเก็บข้อมูล
US$0.2755-189.905
1,000 ชิ้น(MOQ)
At24c04 โปรแกรมเมอร์หน่วยความจำ SMD
US$0.30
10 ชิ้น(MOQ)
ราคาดีสำหรับหน่วยความจำ IC ที่มีอยู่ Cy62136EV30ll-45zsxi Cy7c1011DV33-10zsxi Ua78m05qdcyrg4q1
US$0.50-1.00
1,000 ชิ้น(MOQ)
IC DS2502R+T&R DS2502R EPROM 1Kb หน่วยความจำแบบเพิ่มได้เท่านั้น
US$0.072-15.00
100 ชิ้น(MOQ)
DDR4 ชิปหน่วยความจำ Sdram สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
US$5.605-18.905
10 ชิ้น(MOQ)
ต้นฉบับ Klm4g1fete-B041 Klm8g1getf-B041 หน่วยความจำ IC
US$1.20
100 ชิ้น(MOQ)