Powered by Made-in-China.com
การจัดส่งหน่วยความจำแฟลช NAND จากโรงงาน ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์จำนวนมาก
US$9.50100 ชิ้น
การจัดส่งหน่วยความจำแฟลช NAND จากโรงงาน ส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์จำนวนมาก
US$9.50
100 ชิ้น
ข้อมูลสินค้า
การปรับแต่ง
มีอยู่ประเภทการนำไฟฟ้าได้
วงจรบิโพลาร์ผสมการผสานรวม
MSIไม่ใช่ ของรุ่น
NAND Flash Memory ICอุณหภูมิการทำงาน
-40℃ - 85℃เทคนิคส์
วงจรรวมไอซีชิพความเร็วในการอ่านตามลำดับ
230MB/Sความเร็วในการเขียนตามลำดับ
105MB/Sแพคเพจการขนส่ง
บรรจุภัณฑ์มาตรฐานข้อมูลจำเพาะ
มาตรฐานเครื่องหมายการค้า
ต้นฉบับที่มา
จีนรหัสพิกัดศุลกากร
8542399000คุณสมบัติหลัก
ความเร็วในการอ่านข้อมูลต่อเนื่องสูง: ทำความเร็วได้ถึง 230MB/วินาที สำหรับการดึงข้อมูลที่รวดเร็ว
เทคโนโลยีการบูรณาการของ MSI: ใช้เทคโนโลยีการบูรณาการขนาดกลาง (Medium Scale Integration) เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพ
ชนิดตัวนำแบบไบโพลาร์: มีการออกแบบวงจรรวมแบบไบโพลาร์
ความเร็วในการเขียนข้อมูลต่อเนื่องที่รวดเร็ว: ให้ประสิทธิภาพในการเขียนข้อมูลที่ 105MB/วินาที
บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน: มาพร้อมกับบรรจุภัณฑ์ป้องกันมาตรฐาน
เครื่องหมายการค้าของแท้: รับประกันว่าเป็นชิ้นส่วนของแท้และของเดิม
เทคนิคการผลิตชิปเซมิคอนดักเตอร์: ผลิตโดยใช้เทคนิคขั้นสูงด้านเซมิคอนดักเตอร์
ข้อมูลบริษัท
ผู้นำเข้าและส่งออกความสามารถในการวิจัยและพัฒนาเจ้าหน้าที่ตรวจสอบคุณภาพ (QA/QC)ทางเลือกของผู้ซื้อซ้ำสูง
ประเภทของธุรกิจ: ผู้ผลิต/โรงงานผลิต, บริษัทการค้าเวลาตอบสนองโดยเฉลี่ย: ≤24h
เกี่ยวกับโรงงานของเรา & ข้อมูลเบื้องต้นเกี่ยวกับธุรกิจ
ที่อยู่No. 330, Xinxing Road, Development Zone, Nantong, Jiangsu, China
ระยะเวลาการรอระยะเวลาการรอสูงสุดในฤดูกาล: ภายใน 15 วันทำการ, ระยะเวลาการรอสูงสุดนอกฤดูกาล, ภายใน 15 วันทำการ
ศักยภาพการผลิตของเรา & ความเชี่ยวชาญทางเทคนิค
สินค้าหลักเครื่องยนต์ดีเซล, ปั๊มน้ำมัน, หัวฉีดน้ำมัน, ECU, ตัวตึง, ฝาสูบ, เพลาลูกเบี้ยว, เพลาลูกหมุน, สายพาน, ปะเก็น
มีแบรนด์ของตนเองใช่
ประสบการณ์ในอุตสาหกรรมของเรา & บันทึกธุรกิจระดับโลก
ตลาดหลักอเมริกาใต้, ยุโรปตะวันออก, เอเชียตะวันออกเฉียงใต้, โอเชียเนีย
ผลิตภัณฑ์ Q&A
Q:ความเร็วในการอ่านและเขียนข้อมูลคือเท่าใด?
A:
ผลิตภัณฑ์นี้มีความเร็วในการอ่านข้อมูลต่อเนื่อง 230MB/วินาที และความเร็วในการเขียนข้อมูลต่อเนื่อง 105MB/วินาที
Q:นี่เป็นผลิตภัณฑ์ของแท้หรือไม่?
A:
ใช่ค่ะ/ครับ เครื่องหมายการค้าได้รับการระบุว่าเป็นผลิตภัณฑ์ของแท้
Q:ระดับการบูรณาการคืออะไร?
A:
ระดับการบูรณาการคือ MSI (Medium Scale Integration) หรือการบูรณาการขนาดกลาง
Q:ผลิตภัณฑ์นี้ผลิตที่ไหน?
A:
ผลิตภัณฑ์นี้ผลิตในประเทศจีน
Q:ระยะเวลาในการจัดส่งสินค้าคือเท่าใด?
A:
โดยเฉลี่ย ระยะเวลาในการจัดส่งสินค้าคือภายใน 15 วันทำการ ทั้งในช่วงฤดูที่มีความต้องการสูงและช่วงเวลาปกติ
ส่งแบบสอบถาม
*ถึง:Jiangsu Hongxin Semiconductor Technology Co., Ltd
*เนื้อหา:
0/4000
ซัพพลายเออร์จะส่งคำตอบไปที่ อีเมลที่คุณลงทะเบียนไว้
คุณอาจสนใจสิ่งเหล่านี้ด้วย
การซื้อจำนวนมากหน่วยความจำแฟลช NAND ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
US$11.60
20 ชิ้น(MOQ)
การจัดส่งจำนวนมาก 3D ชิปแฟลช NAND สำหรับการผลิตแฟลชไดรฟ์ USB
US$11.60
20 ชิ้น(MOQ)
หน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์แฟลช NAND ที่เชื่อถือได้
US$9.50
100 ชิ้น(MOQ)
ศูนย์รวมซัพพลายอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม IC Xc3s500e-4pq208I สำหรับของใหม่แท้
US$352.17
5 ชิ้น(MOQ)
ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND ดิบสำหรับโรงงานประกอบ SSD
US$9.20
50 ชิ้น(MOQ)
ชิปวงจรรวมใหม่และต้นฉบับ โมดูลหน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ ส่วนประกอบ
US$0.50-9.00
1 บางส่วน(MOQ)
100% ชิปวงจรรวมจากโรงงานต้นแบบ โมสเฟต อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ Tle7368-3e
US$0.19-0.69
1 บางส่วน(MOQ)
ข้อเสนอพิเศษส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์วงจรรวม/หน่วยความจำ
US$0.60-1.00
10 ชิ้น(MOQ)
Tlv9002iddfr Ad8033arz Ref192gsz Tmp36fsz Ad694arz 100% ชิปวงจรรวมจากโรงงาน องค์ประกอบอิเล็กทรอนิกส์
US$0.19-0.69
1 บางส่วน(MOQ)
100% ชิปวงจรรวมจากโรงงานต้นแบบ Max976eua+T
US$0.19-0.69
1 บางส่วน(MOQ)
ต้นฉบับ W25n02kwzeir หน่วยความจำแฟลช NAND (SLC) 2gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8ns
US$3.00
100 ชิ้น(MOQ)
Stm32f103r8t6 100% ชิปวงจรรวมจากโรงงานต้นฉบับส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์
US$0.19-0.69
1 บางส่วน(MOQ)
รายการชิ้นส่วนบริการ MCU หน่วยความจำ ไดโอด ตัวเก็บประจุ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ IC
US$0.001-0.10
10 ชิ้นส่วน(MOQ)
หน่วยความจำแฟลช NAND SLC 3.3V 2gbit สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
US$0.0466-189.905
500 ชิ้น(MOQ)
K4RAH165VB-BCQK แรม SDRAM DDR5 2.4GHz ชิปหน่วยความจำ DDR อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
US$0.72-100.00
10 ชิ้น(MOQ)



















