SourcingAI
Try for free
Powered by Made-in-China.com
การซื้อจำนวนมากหน่วยความจำแฟลช NAND ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
US$11.60
20 ชิ้น

ข้อมูลสินค้า

การปรับแต่ง

มีอยู่

ประเภทการนำไฟฟ้าได้

วงจรบิโพลาร์ผสม

การผสานรวม

MSI

ไม่ใช่ ของรุ่น

NAND Flash Memory IC

อุณหภูมิการทำงาน

-40℃ - 85℃

เทคนิคส์

วงจรรวมไอซีชิพ

ความเร็วในการอ่านตามลำดับ

230MB/S

ความเร็วในการเขียนตามลำดับ

105MB/S

แพคเพจการขนส่ง

บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน

ข้อมูลจำเพาะ

มาตรฐาน

เครื่องหมายการค้า

ต้นฉบับ

ที่มา

จีน

รหัสพิกัดศุลกากร

8542399000

คุณสมบัติหลัก

ความเร็วในการอ่านข้อมูลต่อเนื่องสูง: ทำงานได้เร็วถึง 230MB/s ช่วยให้การดึงและประมวลผลข้อมูลเป็นไปอย่างรวดเร็ว
ความเร็วในการเขียนข้อมูลต่อเนื่องสูง: ทำงานได้อย่างมีประสิทธิภาพด้วยความเร็ว 105MB/s สำหรับการจัดเก็บข้อมูล
ระดับการบูรณาการของ MSI: ใช้เทคโนโลยีระดับกลาง (Medium Scale Integration) เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพที่สมดุล
ประเภทการนำไฟฟ้าแบบไบโพลาร์: ใช้เทคโนโลยีไบโพลาร์เพื่อตอบสนองความต้องการของวงจรเฉพาะ
เครื่องหมายการค้าของแท้: รับประกันว่าเป็นชิ้นส่วนของแท้ พร้อมเครื่องหมายการค้าดั้งเดิม
บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน: มาพร้อมกับบรรจุภัณฑ์ป้องกันมาตรฐาน เพื่อความปลอดภัยในการจัดส่ง
ระยะเวลาการจัดส่งที่รวดเร็ว: ระยะเวลาการจัดส่งทั้งช่วงฤดูที่มีความต้องการสูงและช่วงเวลาปกติ ภายใน 15 วันทำการ

ข้อมูลบริษัท

ผู้นำเข้าและส่งออกความสามารถในการวิจัยและพัฒนาเจ้าหน้าที่ตรวจสอบคุณภาพ (QA/QC)ทางเลือกของผู้ซื้อซ้ำสูง
ประเภทของธุรกิจ: ผู้ผลิต/โรงงานผลิต, บริษัทการค้าเวลาตอบสนองโดยเฉลี่ย: ≤24h

เกี่ยวกับโรงงานของเรา & ข้อมูลเบื้องต้นเกี่ยวกับธุรกิจ

ที่อยู่No. 330, Xinxing Road, Development Zone, Nantong, Jiangsu, China
ระยะเวลาการรอระยะเวลาการรอสูงสุดในฤดูกาล: ภายใน 15 วันทำการ, ระยะเวลาการรอสูงสุดนอกฤดูกาล, ภายใน 15 วันทำการ

ศักยภาพการผลิตของเรา & ความเชี่ยวชาญทางเทคนิค

สินค้าหลักเครื่องยนต์ดีเซล, ปั๊มน้ำมัน, หัวฉีดน้ำมัน, ECU, ตัวตึง, ฝาสูบ, เพลาลูกเบี้ยว, เพลาลูกหมุน, สายพาน, ปะเก็น
มีแบรนด์ของตนเองใช่

ประสบการณ์ในอุตสาหกรรมของเรา & บันทึกธุรกิจระดับโลก

ตลาดหลักอเมริกาใต้, ยุโรปตะวันออก, เอเชียตะวันออกเฉียงใต้, โอเชียเนีย

ผลิตภัณฑ์ Q&A

Q:ความเร็วในการอ่านและเขียนข้อมูลคือเท่าใด?
A:
ผลิตภัณฑ์นี้มีความเร็วในการอ่านข้อมูลต่อเนื่อง 230MB/วินาที และความเร็วในการเขียนข้อมูลต่อเนื่อง 105MB/วินาที
Q:นี่เป็นผลิตภัณฑ์ของแท้หรือไม่?
A:
ใช่ค่ะ/ครับ เครื่องหมายการค้าได้รับการระบุว่าเป็นผลิตภัณฑ์ของแท้
Q:ระดับการบูรณาการคืออะไร?
A:
ระดับการบูรณาการคือ MSI (Medium Scale Integration) หรือการบูรณาการขนาดกลาง
Q:ผลิตภัณฑ์นี้ผลิตที่ไหน?
A:
ผลิตภัณฑ์นี้ผลิตในประเทศจีน
Q:ระยะเวลาในการจัดส่งสินค้าคือเท่าใด?
A:
โดยเฉลี่ย ระยะเวลาในการจัดส่งสินค้าคือภายใน 15 วันทำการ ทั้งในช่วงฤดูที่มีความต้องการสูงและช่วงเวลาปกติ

ส่งแบบสอบถาม

*ถึง:Jiangsu Hongxin Semiconductor Technology Co., Ltd
*เนื้อหา:
0/4000

ซัพพลายเออร์จะส่งคำตอบไปที่ อีเมลที่คุณลงทะเบียนไว้

คุณอาจสนใจสิ่งเหล่านี้ด้วย

W29n01hvsina 1g-Bit หน่วยความจำแฟลช SLC
ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND W29n01hvdina