Powered by Made-in-China.com
ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND แบบติดตั้งบนพื้นผิว
US$9.2050 ชิ้น
ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND แบบติดตั้งบนพื้นผิว
US$9.20
50 ชิ้น
ข้อมูลสินค้า
การปรับแต่ง
มีอยู่ประเภทการนำไฟฟ้าได้
วงจรบิโพลาร์ผสมการผสานรวม
MSIไม่ใช่ ของรุ่น
NAND Flash Memory ICอุณหภูมิการทำงาน
-40℃ - 85℃เทคนิคส์
วงจรรวมไอซีชิพความเร็วในการอ่านตามลำดับ
230MB/Sความเร็วในการเขียนตามลำดับ
105MB/Sแพคเพจการขนส่ง
บรรจุภัณฑ์มาตรฐานข้อมูลจำเพาะ
มาตรฐานเครื่องหมายการค้า
ต้นฉบับที่มา
จีนรหัสพิกัดศุลกากร
8542399000คุณสมบัติหลัก
ความเร็วในการอ่านข้อมูลต่อเนื่องสูง: ทำงานได้เร็วถึง 230MB/วินาที ช่วยให้การดึงข้อมูลและการประมวลผลเป็นไปอย่างรวดเร็ว
ระดับการบูรณาการของ MSI: ระดับการบูรณาการขนาดกลาง เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพที่สมดุล
บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน: มาพร้อมกับบรรจุภัณฑ์มาตรฐาน เพื่อความปลอดภัยในการขนส่ง
เครื่องหมายการค้าของแท้: รับประกันว่าเป็นผลิตภัณฑ์ของแท้และของเดิม
ข้อมูลบริษัท
ผู้นำเข้าและส่งออกความสามารถในการวิจัยและพัฒนาเจ้าหน้าที่ตรวจสอบคุณภาพ (QA/QC)ทางเลือกของผู้ซื้อซ้ำสูง
ประเภทของธุรกิจ: ผู้ผลิต/โรงงานผลิต, บริษัทการค้าเวลาตอบสนองโดยเฉลี่ย: ≤24h
เกี่ยวกับโรงงานของเรา & ข้อมูลเบื้องต้นเกี่ยวกับธุรกิจ
ที่อยู่No. 330, Xinxing Road, Development Zone, Nantong, Jiangsu, China
ระยะเวลาการรอระยะเวลาการรอสูงสุดในฤดูกาล: ภายใน 15 วันทำการ, ระยะเวลาการรอสูงสุดนอกฤดูกาล, ภายใน 15 วันทำการ
ศักยภาพการผลิตของเรา & ความเชี่ยวชาญทางเทคนิค
สินค้าหลักเครื่องยนต์ดีเซล, ปั๊มน้ำมัน, หัวฉีดน้ำมัน, ECU, ตัวตึง, ฝาสูบ, เพลาลูกเบี้ยว, เพลาลูกหมุน, สายพาน, ปะเก็น
มีแบรนด์ของตนเองใช่
ประสบการณ์ในอุตสาหกรรมของเรา & บันทึกธุรกิจระดับโลก
ตลาดหลักอเมริกาใต้, ยุโรปตะวันออก, เอเชียตะวันออกเฉียงใต้, โอเชียเนีย
ผลิตภัณฑ์ Q&A
Q:ความเร็วในการอ่านและเขียนข้อมูลคือเท่าใด?
A:
ผลิตภัณฑ์นี้มีความเร็วในการอ่านข้อมูลต่อเนื่อง 230MB/วินาที และความเร็วในการเขียนข้อมูลต่อเนื่อง 105MB/วินาที
Q:นี่เป็นผลิตภัณฑ์ของแท้หรือไม่?
A:
ใช่ค่ะ แบรนด์ได้รับการระบุว่าเป็นผลิตภัณฑ์ของแท้
Q:ระดับการบูรณาการคืออะไร?
A:
ระดับการบูรณาการคือ MSI (Medium Scale Integration) หรือการบูรณาการขนาดกลาง
Q:ผลิตภัณฑ์นี้ผลิตที่ไหน?
A:
ผลิตภัณฑ์นี้ผลิตในประเทศจีน
Q:ระยะเวลาในการจัดส่งสินค้าคือเท่าใด?
A:
โดยเฉลี่ยแล้ว ระยะเวลาในการจัดส่งสินค้าคือภายใน 15 วันทำการ ทั้งในช่วงฤดูที่มีความต้องการสูงและช่วงเวลาปกติ
ส่งแบบสอบถาม
*ถึง:Jiangsu Hongxin Semiconductor Technology Co., Ltd
*เนื้อหา:
0/4000
ซัพพลายเออร์จะส่งคำตอบไปที่ อีเมลที่คุณลงทะเบียนไว้
คุณอาจสนใจสิ่งเหล่านี้ด้วย
ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND W29n01hvdina
US$10.9513
1 บางส่วน(MOQ)
หน่วยความจำแฟลช NAND ที่ไม่ลบเลือน ชิปเซมิคอนดักเตอร์สำหรับเก็บข้อมูลดิบ
US$11.60
20 ชิ้น(MOQ)
ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND แบบยูนิเวอร์แซลสำหรับอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล
US$11.60
20 ชิ้น(MOQ)
หน่วยความจำแฟลช NAND แบบ eMMC ความเร็วสูง Thgbmjg6c1lbac7 ชิปเก็บข้อมูลฝังตัว
US$6.4343
1 บางส่วน(MOQ)
ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND ที่มีอัตราความล้มเหลวต่ำสำหรับการจัดเก็บข้อมูลผู้บริโภค
US$11.60
20 ชิ้น(MOQ)
หน่วยความจำแฟลช NAND ความเร็วสูง ชิปเก็บข้อมูล
US$9.20
50 ชิ้น(MOQ)
ต้นฉบับ W25n02kwzeir หน่วยความจำแฟลช NAND (SLC) 2gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8ns
US$3.00
100 ชิ้น(MOQ)
Mt29f2g01abagdwb-It: ชิปหน่วยความจำแฟลช SPI NAND VLSI Semiconductor IC ขนาด 2GB G
US$0.50
1 บางส่วน(MOQ)
ชิปหน่วยความจำเกรดอุตสาหกรรม SLC Nand Flash IC W25n02kvzeir
US$0.7505-322.05
10 ชิ้น(MOQ)
ชิป IC หน่วยความจำแฟลชแบบ SMD W25X40clsnig
US$0.01-1.00
1 บางส่วน(MOQ)
W29n01hvsina 1g-Bit หน่วยความจำแฟลช SLC
US$3.0305-14.155
1,000 ชิ้น(MOQ)
หน่วยความจำแฟลช NAND SLC 3.3V 2gbit สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
US$0.0466-189.905
500 ชิ้น(MOQ)
หน่วยความจำแฟลช NAND อุตสาหกรรม 8GB สำหรับระบบฝังตัว
US$8.5405-14.155
5 ชิ้น(MOQ)
KLMBG2JETD-B041 eMMC 5.1 32GB ชิปหน่วยความจำ NAND Flash KLMBG2JETD
US$6.20-340.00
10 ชิ้น(MOQ)
ชิปหน่วยความจำ, ไอซีแฟลช W25q128jvsiq W25q64jvssiq Icm-42688-P At7456e
US$0.10-0.25
100 ชิ้น(MOQ)
วงจรรวม 2.3V-3.6V SOP8-208mil 128Mbit ชิปหน่วยความจำแฟลชแบบอนุกรม IC เซมิคอนดักเตอร์ BL25Q128G
US$0.139-0.156
100 ชิ้น(MOQ)
ชิปวงจรรวมใหม่และต้นฉบับ โมดูลหน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์ ส่วนประกอบ
US$0.50-9.00
1 บางส่วน(MOQ)
















