Powered by Made-in-China.com
ประสิทธิภาพที่เสถียร DDR4 ชิป DRAM IC SDRAM สำหรับการอัพเกรดหน่วยความจำ PC
US$24.80
100 ชิ้น
ข้อมูลสินค้า
การปรับแต่ง
มีอยู่ประเภทการนำไฟฟ้าได้
วงจรบิโพลาร์ผสมการผสานรวม
MSIไม่ใช่ ของรุ่น
DDR Memory ICรูปร่าง
จุดลงเทคนิคส์
วงจรรวมไอซีชิพแพคเพจการขนส่ง
Standardข้อมูลจำเพาะ
มาตรฐานเครื่องหมายการค้า
ต้นฉบับที่มา
จีนรหัสพิกัดศุลกากร
8542399000คุณสมบัติหลัก
เทคโนโลยี DDR4 SDRAM: ชิปหน่วยความจำประสิทธิภาพสูง ออกแบบมาสำหรับการอัปเกรดหน่วยความจำของคอมพิวเตอร์
วงจรรวมแบบไบโพลาร์: มีเทคโนโลยีวงจรรวมแบบไบโพลาร์ขั้นสูง เพื่อความเสถียร
รูปทรงบรรจุภัณฑ์ DIP: ออกแบบมาในรูปทรง Dual In-line Package (DIP) เพื่อความสะดวกในการติดตั้ง
เครื่องหมายการค้าของแท้: รับประกันคุณภาพของแท้ พร้อมการตรวจสอบเครื่องหมายการค้าอย่างถูกต้อง
การปฏิบัติตามมาตรฐาน: เป็นไปตามข้อกำหนดมาตรฐานของอุตสาหกรรม เพื่อความน่าเชื่อถือและความเข้ากันได้
ผลิตในประเทศจีน: ผลิตในประเทศจีน โดยมีมาตรฐานควบคุมคุณภาพที่เข้มงวด
ข้อมูลบริษัท
ประเภทของธุรกิจ: ผู้ผลิต/โรงงานผลิต, บริษัทการค้าเวลาตอบสนองโดยเฉลี่ย: >24h
เกี่ยวกับโรงงานของเรา & ข้อมูลเบื้องต้นเกี่ยวกับธุรกิจ
ที่อยู่No. 330, Xinxing Road, Development Zone, Nantong, Jiangsu, China
ระยะเวลาการรอระยะเวลาการรอสูงสุดในฤดูกาล: ภายใน 15 วันทำการ, ระยะเวลาการรอสูงสุดนอกฤดูกาล, ภายใน 15 วันทำการ
ศักยภาพการผลิตของเรา & ความเชี่ยวชาญทางเทคนิค
สินค้าหลักเครื่องยนต์ดีเซล, ปั๊มน้ำมัน, หัวฉีดน้ำมัน, ECU, ตัวตึง, ฝาสูบ, เพลาลูกเบี้ยว, เพลาลูกหมุน, สายพาน, ปะเก็น
มีแบรนด์ของตนเองใช่
ประสบการณ์ในอุตสาหกรรมของเรา & บันทึกธุรกิจระดับโลก
ตลาดหลักอเมริกาใต้, ยุโรปตะวันออก, เอเชียตะวันออกเฉียงใต้, โอเชียเนีย
ผลิตภัณฑ์ Q&A
Q:รูปร่างของผลิตภัณฑ์คืออะไร?
A:
รูปร่างคือ DIP (Dual In-line Package).
Q:ระดับการบูรณาการคืออะไร?
A:
ระดับการบูรณาการคือ MSI (Medium Scale Integration).
Q:ระยะเวลาในการจัดส่งสินค้าคือเท่าไร?
A:
ระยะเวลาในการจัดส่งสินค้าคือภายใน 15 วันทำการ ทั้งในช่วงฤดูที่มีความต้องการสูงและช่วงเวลาปกติ
Q:ผลิตภัณฑ์นี้เป็นของแท้หรือไม่?
A:
ใช่, ผลิตภัณฑ์นี้เป็นของแท้ (มีเครื่องหมายการค้า Original).
Q:ผลิตภัณฑ์นี้ผลิตที่ไหน?
A:
ผลิตภัณฑ์นี้ผลิตในประเทศจีน.
ส่งแบบสอบถาม
*ถึง:Jiangsu Hongxin Semiconductor Technology Co., Ltd
*เนื้อหา:
ซัพพลายเออร์จะส่งคำตอบไปที่ อีเมลที่คุณลงทะเบียนไว้
คุณอาจสนใจสิ่งเหล่านี้ด้วย
Nt5ad256m16e4-Jr Nt5ad512m16c4-Jr K4t51163qn-Bce7 DDR4 DDR2 ชิปหน่วยความจำ SDRAM
US$0.50
1 บางส่วน(MOQ)
โรงงานต้นฉบับ DDR4 ชิปหน่วยความจำ SDRAM DRAM เซมิคอนดักเตอร์ IC
US$24.80
100 ชิ้น(MOQ)
A4s8g16V-F9hpc A4s8g16V DDR4 ชิปหน่วยความจำ SDRAM 8GB แรมความเร็วสูง
US$0.50
1 บางส่วน(MOQ)
W634gu6rb-11 DDR3l ชิปหน่วยความจำ Sdram 4gbit ชิป DRAM ความเร็วสูงและใช้พลังงานต่ำ
US$35.9999
1 บางส่วน(MOQ)
ชิป DRAM DDR4 ไอซีหน่วยความจำ SDRAM สำหรับการประกอบแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์
US$24.80
100 ชิ้น(MOQ)
Cbd32D4s2d8HD-32 DDR4 ชิปหน่วยความจำ DRAM สำหรับการจัดเก็บข้อมูลความเร็วสูง
US$63.4165
1 บางส่วน(MOQ)
DDR4 ชิปหน่วยความจำ Sdram สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
US$5.605-18.905
10 ชิ้น(MOQ)
DDR4 16GB ไอซีหน่วยความจำ Adie สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
US$4.275-1,899.05
1 บางส่วน(MOQ)
DDR4 ชิป DRAM Mt40A2g8SA-062e โซลูชันการติดตั้ง F Tr
US$9.0155-18.905
10 ชิ้น(MOQ)
K4RAH165VB-BCQK แรม SDRAM DDR5 2.4GHz ชิปหน่วยความจำ DDR อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
US$0.72-100.00
10 ชิ้น(MOQ)
ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND แบบยูนิเวอร์แซลสำหรับอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล
US$11.60
20 ชิ้น(MOQ)
3D ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND สำหรับการประกอบผลิตภัณฑ์จัดเก็บข้อมูล
US$11.60
20 ชิ้น(MOQ)
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R-TR MT40A2G4 MT40A1G8 MT40A512M16 DDR4 หน่วยความจำ SDRAM
US$6.00-20.00
10 ชิ้น(MOQ)
ชิปไอซีต้นฉบับ วงจรรวม Mt41K512m16ha-125 มัน: a
US$0.05-1.00
1 บางส่วน(MOQ)
ชิปหน่วยความจำ DRAM อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
US$2.28-1,899.05
1 บางส่วน(MOQ)
B5116ECMDXGJD-U ชิป DRAM DDR3L SDRAM 8Gbit 512M x 16 1.35V 96-Pin IC FBGA
US$16.00-200.00
1,000 ชิ้น(MOQ)
ต้นฉบับ W9825g6kh-6 256MB ขนาน 166 เมกะเฮิร์ตซ์ 5ns หน่วยความจำ SDRAM W9825g6
US$0.70
108 ชิ้น(MOQ)
h5anag6ncjr-xnc h5anag6ncjr 16Gb DDR4 หน่วยความจำ SDRAM H5ANAG4NCJR H5ANAG8NCJR
US$5.00-2,000.00
1 บางส่วน(MOQ)
