Powered by Made-in-China.com
ชิป DRAM DDR4 ไอซีหน่วยความจำ SDRAM สำหรับการประกอบแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์
US$24.80100 ชิ้น
ชิป DRAM DDR4 ไอซีหน่วยความจำ SDRAM สำหรับการประกอบแผงวงจรอิเล็กทรอนิกส์
US$24.80
100 ชิ้น
ข้อมูลสินค้า
การปรับแต่ง
มีอยู่ประเภทการนำไฟฟ้าได้
วงจรบิโพลาร์ผสมการผสานรวม
MSIไม่ใช่ ของรุ่น
DDR Memory ICรูปร่าง
จุดลงเทคนิคส์
วงจรรวมไอซีชิพแพคเพจการขนส่ง
Standardข้อมูลจำเพาะ
มาตรฐานเครื่องหมายการค้า
ต้นฉบับที่มา
จีนรหัสพิกัดศุลกากร
8542399000คุณสมบัติหลัก
เครื่องหมายการค้าดั้งเดิม: ผลิตภัณฑ์มีเครื่องหมายการค้าที่เป็นเอกลักษณ์ เพื่อรับประกันความถูกต้อง
บรรจุภัณฑ์มาตรฐาน: สินค้าถูกบรรจุในบรรจุภัณฑ์มาตรฐาน เพื่อความปลอดภัยในการขนส่ง
รูปแบบ DIP: วงจรรวมมีรูปแบบเป็น Dual In-line Package (DIP)
ระดับการบูรณาการ MSI: มีคุณสมบัติการบูรณาการขนาดกลาง (MSI) เพื่อประสิทธิภาพที่ดียิ่งขึ้น
ชนิดนำไฟฟ้าแบบไบโพลาร์: ใช้เทคโนโลยีวงจรรวมแบบไบโพลาร์เพื่อการนำไฟฟ้า
เทคนิค IC เซมิคอนดักเตอร์: ผลิตโดยใช้เทคนิค IC เซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูง
แหล่งผลิต: ผลิตภัณฑ์มาจากเมืองหนานทง มณฑลเจียงซู ประเทศจีน
การปฏิบัติตามมาตรฐาน: เป็นไปตามข้อกำหนดมาตรฐานของอุตสาหกรรม เพื่อความน่าเชื่อถือ
ข้อมูลบริษัท
ผู้นำเข้าและส่งออกความสามารถในการวิจัยและพัฒนาเจ้าหน้าที่ตรวจสอบคุณภาพ (QA/QC)ทางเลือกของผู้ซื้อซ้ำสูง
ประเภทของธุรกิจ: ผู้ผลิต/โรงงานผลิต, บริษัทการค้าเวลาตอบสนองโดยเฉลี่ย: ≤24h
เกี่ยวกับโรงงานของเรา & ข้อมูลเบื้องต้นเกี่ยวกับธุรกิจ
ที่อยู่No. 330, Xinxing Road, Development Zone, Nantong, Jiangsu, China
ระยะเวลาการรอระยะเวลาการรอสูงสุดในฤดูกาล: ภายใน 15 วันทำการ, ระยะเวลาการรอสูงสุดนอกฤดูกาล, ภายใน 15 วันทำการ
ศักยภาพการผลิตของเรา & ความเชี่ยวชาญทางเทคนิค
สินค้าหลักเครื่องยนต์ดีเซล, ปั๊มน้ำมัน, หัวฉีดน้ำมัน, ECU, ตัวตึง, ฝาสูบ, เพลาลูกเบี้ยว, เพลาลูกหมุน, สายพาน, ปะเก็น
มีแบรนด์ของตนเองใช่
ประสบการณ์ในอุตสาหกรรมของเรา & บันทึกธุรกิจระดับโลก
ตลาดหลักอเมริกาใต้, ยุโรปตะวันออก, เอเชียตะวันออกเฉียงใต้, โอเชียเนีย
ผลิตภัณฑ์ Q&A
Q:รูปร่างของผลิตภัณฑ์คืออะไร?
A:
รูปร่างคือ DIP (Dual In-line Package).
Q:ระดับการบูรณาการคืออะไร?
A:
ระดับการบูรณาการคือ MSI (Medium Scale Integration).
Q:ระยะเวลาในการจัดส่งสินค้าคือเท่าไร?
A:
ระยะเวลาในการจัดส่งสินค้าคือภายใน 15 วันทำการ ทั้งในช่วงฤดูที่มีความต้องการสูงและช่วงเวลาปกติ
Q:ผลิตภัณฑ์นี้เป็นของแท้หรือไม่?
A:
ใช่ค่ะ ผลิตภัณฑ์นี้เป็นของแท้ โดยมีเครื่องหมายการค้าระบุว่าเป็น "Original".
Q:ผลิตภัณฑ์นี้ผลิตที่ไหน?
A:
ผลิตภัณฑ์นี้ผลิตในประเทศจีน
ส่งแบบสอบถาม
*ถึง:Jiangsu Hongxin Semiconductor Technology Co., Ltd
*เนื้อหา:
0/4000
ซัพพลายเออร์จะส่งคำตอบไปที่ อีเมลที่คุณลงทะเบียนไว้
คุณอาจสนใจสิ่งเหล่านี้ด้วย
A4s8g16V-F9hpc A4s8g16V DDR4 ชิปหน่วยความจำ SDRAM 8GB แรมความเร็วสูง
US$0.50
1 บางส่วน(MOQ)
Cbd32D4s2d8HD-32 DDR4 ชิปหน่วยความจำ DRAM สำหรับการจัดเก็บข้อมูลความเร็วสูง
US$63.4165
1 บางส่วน(MOQ)
โรงงานต้นฉบับ DDR4 ชิปหน่วยความจำ SDRAM DRAM เซมิคอนดักเตอร์ IC
US$24.80
100 ชิ้น(MOQ)
ประสิทธิภาพที่เสถียร DDR4 ชิป DRAM IC SDRAM สำหรับการอัพเกรดหน่วยความจำ PC
US$24.80
100 ชิ้น(MOQ)
DDR4 ชิปหน่วยความจำ Sdram สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
US$5.605-18.905
10 ชิ้น(MOQ)
Nt5ad256m16e4-Jr Nt5ad512m16c4-Jr K4t51163qn-Bce7 DDR4 DDR2 ชิปหน่วยความจำ SDRAM
US$0.50
1 บางส่วน(MOQ)
ชิปหน่วยความจำ DRAM อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
US$2.28-1,899.05
1 บางส่วน(MOQ)
DDR4 16GB ไอซีหน่วยความจำ Adie สำหรับการใช้งานในอุตสาหกรรม
US$4.275-1,899.05
1 บางส่วน(MOQ)
3D ชิปหน่วยความจำแฟลช NAND สำหรับการประกอบผลิตภัณฑ์จัดเก็บข้อมูล
US$11.60
20 ชิ้น(MOQ)
16GB และ 24GB ชิปหน่วยความจำ DRAM สำหรับ Hbm3 ระบบ
US$94.905-322.905
10 ชิ้น(MOQ)
Sak-Tc222s-16f133n ชิปหน่วยความจำอิเล็กทรอนิกส์โมดูลส่วนประกอบ
US$0.50-16.00
1 บางส่วน(MOQ)
MT40A1G8 MT40A512M16 ยานยนต์ DDR4 หน่วยความจำ SDRAM 8GBIT MT40A512M16LY-062E ไอที:อี
US$2.20-340.00
10 ชิ้น(MOQ)
ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ต้นฉบับใหม่สำหรับไมโครชิป Pl611s-02-F10tc-R
US$0.90-9,999.00
1 บางส่วน(MOQ)
Rtd2482D-Gr ชิปวงจรรวม IC หน่วยความจำ อิเล็กทรอนิกส์ โมดูล LCD ส่วนประกอบ
US$1.00-2.00
20 ชิ้น(MOQ)
ชิปหน่วยความจำแฟลช TLC สำหรับการประกอบยูดิสก์และการ์ดหน่วยความจำ
US$9.60
20 ชิ้น(MOQ)

















