Powered by Made-in-China.com

ชิปหน่วยความจำอีพรอมแบบสองสาย
US$0.05
10,000 ชิ้น
ข้อมูลสินค้า
การปรับแต่ง
มีอยู่ประเภทการนำไฟฟ้าได้
วงจรบิโพลาร์ผสมเทคนิคส์
วงจรรวมไอซีชิพไม่ใช่ ของรุ่น
24C02รูปทรง
แช่แพคเพจการขนส่ง
กล่องเครื่องหมายการค้า
เหนือกว่าที่มา
จีนรหัสพิกัดศุลกากร
8542329000กำลังการผลิต
10000000 ปีคุณสมบัติหลัก
การทำงานที่แรงดันไฟฟ้าต่ำ: ทำงานได้ที่แรงดันไฟฟ้า 1.8V ถึง 5.5V เหมาะสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย
ความน่าเชื่อถือสูง: ทนทานต่อการใช้งาน 1,000,000 รอบ และสามารถเก็บข้อมูลได้นานถึง 100 ปี
รอบการเขียนที่รวดเร็ว: รอบการเขียนข้อมูลแบบอัตโนมัติ โดยใช้เวลาสูงสุด 5 มิลลิวินาที
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ที่หลากหลาย: มีให้เลือกในรูปแบบ DIP, SOP, MSOP, TSSOP, DFN และ SOT-23
การป้องกันสัญญาณรบกวน: มีวงจร Schmitt trigger และวงจรกรองสัญญาณขาเข้า เพื่อเพิ่มความเสถียร
การป้องกันการเขียนข้อมูลด้วยฮาร์ดแวร์: มีขาเฉพาะสำหรับการป้องกันข้อมูล
ความสามารถในการปรับแต่งที่ยืดหยุ่น: รองรับการปรับแต่งแบบเต็มรูปแบบ, แบบปรับปรุงเล็กน้อย และแบบตามตัวอย่าง
ได้รับการรับรอง ISO9001: กระบวนการผลิตได้รับการรับรองตามมาตรฐาน ISO9001:2015
ข้อมูลบริษัท
ผ่านรับรองประเภทของธุรกิจ: บริษัทการค้า ผ่านรับรองขีดความสามารถด้านวิจัยและพัฒนา: บริการ ODM พร้อมให้บริการ & มีบริการ OEM ผ่านรับรองตัวเลือกการปรับแต่ง: การปรับแต่งจากตัวอย่าง, การปรับแต่งจากการออกแบบ, etc. ผ่านรับรองเริ่มส่งออกเมื่อ: 20 years ผ่านรับรองท่าเรือที่ใกล้ที่สุด: Shenzhen Portเวลาตอบสนองโดยเฉลี่ย: ≤3.69h
เกี่ยวกับโรงงานของเรา & ข้อมูลเบื้องต้นเกี่ยวกับธุรกิจ
ที่อยู่Rm. 3306, International Science & Technology Bldg, Central Shennan Road, Shenzhen, Guangdong, China
พื้นที่โรงงาน328.58 ตารางเมตร
จำนวนพนักงาน14
ทุนจดทะเบียน1,000,000 RMB
เงื่อนไขการชำระเงินT/T, Western Union
ข้อกำหนดทางการค้าระหว่างประเทศ (Incoterms)FOB, เลขประจำตัวผู้เสียภาษี, CFR, EXW
ระยะเวลาการรอระยะเวลาการรอสูงสุดในฤดูกาล: ภายใน 15 วันทำการ, ระยะเวลาการรอสูงสุดนอกฤดูกาล, ภายใน 15 วันทำการ
ปริมาณการสั่งซื้อขั้นต่ำ10 PCS
พันธมิตรในห่วงโซ่อุปทาน25
ศักยภาพการผลิตของเรา & ความเชี่ยวชาญทางเทคนิค
สินค้าหลักตัวเก็บประจุ, ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีเอสเตอร์เคลือบโลหะ Cl21, ตัวเก็บประจุฟิล์มโพลีโพรพิลีนเคลือบโลหะ X2 ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลตอลูมิเนียม, ตัวเก็บประจุเซรามิก, ตัวเก็บประจุแทนทาลัม, ตัวเก็บประจุซุปเปอร์, ตัวต้านทาน
เจ้าหน้าที่ตรวจสอบคุณภาพ (QA/QC)2 people
ประเภทการตรวจสอบสำหรับผลิตภัณฑ์สำเร็จรูปการตรวจสุ่ม(การตรวจสอบด้วยสายตา & การตรวจสอบการทำงาน)
วิธีการตรวจสอบผลิตภัณฑ์สำเร็จรูปสินค้าสำเร็จรูปถูกตรวจสอบโดยเจ้าหน้าที่แพ็คสินค้า
วิศวกรวิจัยและพัฒนา (R&D)2 people
การตรวจสอบย้อนกลับของวัตถุดิบไม่ใช่
มีแบรนด์ของตนเองใช่
ประสบการณ์ในอุตสาหกรรมของเรา & บันทึกธุรกิจระดับโลก
ปีที่ก่อตั้ง2006-04-30
ตลาดหลักอเมริกาเหนือ, อเมริกาใต้, ยุโรป, เอเชียตะวันออกเฉียงใต้/ตะวันออกกลาง, แอฟริกา
ตัวเลือกยอดนิยมจากผู้ซื้อซ้ำ80%~100%
จำนวนพนักงานฝ่ายการค้าระหว่างประเทศ6
ตัวแทน/สาขา ต่างประเทศไม่ใช่
ผลิตภัณฑ์ใหม่ที่เปิดตัวในปีที่ผ่านมาไม่ใช่
การรับรอง มาตรฐาน & การยอมรับจากอุตสาหกรรม
การรับรองของระบบการจัดการISO9001:2015
การรับรองผลิตภัณฑ์UL, CE
ร่วมมือกับฟอร์จูน 500ไม่ใช่
ผลิตภัณฑ์ Q&A
Q:ช่วงแรงดันไฟฟ้าที่อุปกรณ์สามารถทำงานได้คือเท่าใด?
A:
อุปกรณ์รองรับช่วงแรงดันไฟฟ้าที่กว้าง ตั้งแต่ 1.8V ถึง 5.5V
Q:ชิปนี้รองรับการเขียนข้อมูลได้กี่รอบ?
A:
ชิปนี้มีความน่าเชื่อถือสูง โดยทั่วไปรองรับการเขียนข้อมูลได้ถึง 1,000,000 รอบ
Q:มีบรรจุภัณฑ์แบบใดบ้าง?
A:
มีให้เลือกทั้งแบบ 8-pin DIP/SOP/MSOP/TSSOP/DFN และแบบ 5-pin SOT-23/TSOT-23
Q:สามารถปรับแต่งได้หรือไม่?
A:
ได้ เรามีบริการปรับแต่งทั้งแบบเต็มรูปแบบ, แบบปรับเล็กน้อย และแบบปรับเปลี่ยนตามความต้องการ โดยอ้างอิงจากตัวอย่างหรือแบบผลิตภัณฑ์
Q:จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำคือเท่าใด?
A:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำคือ 10 ชิ้น
ส่งแบบสอบถาม
*ถึง:
Shenzhen Topmay Electronic Co., Ltd.
Shenzhen Topmay Electronic Co., Ltd.*เนื้อหา:
ซัพพลายเออร์จะส่งคำตอบไปที่ อีเมลที่คุณลงทะเบียนไว้
คุณอาจสนใจสิ่งเหล่านี้ด้วย
M24m02 I2c 2mbit 8soic ชิปหน่วยความจำอีพรอม
US$0.1805-189.05
500 ชิ้น(MOQ)
ต้นฉบับ W25q80dvssig 8mbit แฟลชนอร์หน่วยความจำ SMD IC ชิป W25q80 SMT PCBA
US$0.12
900 ชิ้น(MOQ)
ชิปหน่วยความจำ DRAM DDR5 2.4GHz สำหรับอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์
US$0.6745-94.905
10 ชิ้น(MOQ)
CH340 ชิปไอซี USB เป็นพอร์ตอนุกรม
US$0.4655-322.905
1 บางส่วน(MOQ)
ชิป IC ดั้งเดิมของ Sak-Tc2 Sak-Tc277tp-64f200n บริษัท อินฟิเนียน เทคโนโลยีส์ เอจี
US$1.50-2.50
1 บางส่วน(MOQ)
ชิป DRAM สเปคต้นฉบับ DDR4 แรมสำหรับการผลิตหน่วยความจำคอมพิวเตอร์
US$24.80
100 ชิ้น(MOQ)
Mic6211ym5-Tr อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ชิปวงจรรวม Sot23-5
US$0.0001-0.10
1 บางส่วน(MOQ)
ชิปหน่วยความจำ DRAM ประสิทธิภาพสูง DDR4 สำหรับการจัดเก็บข้อมูลที่เชื่อถือได้
US$9.0155-18.905
10 ชิ้น(MOQ)
การจัดส่งจำนวนมาก DDR4 ชิป SDRAM DRAM สำหรับการผลิตหน่วยความจำ
US$24.80
100 ชิ้น(MOQ)
K4a8g165wg-Bcwe DDR4 แรม Sdram 8GB 3200Mbps 512m×16 96fbga ชิปหน่วยความจำ, ใหม่แท้
US$25.00
10,000 ชิ้น(MOQ)
การจัดหาชิปวงจรรวมอย่างมืออาชีพ รวมถึงชิปหน่วยความจำและชิปเชื่อมต่อ
US$10.99-14.99
100 ชิ้น(MOQ)
Asmdc185f/33-2 อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ชิปวงจรรวม SMD
US$0.01
1 บางส่วน(MOQ)
ชิปอีพรอมที่เชื่อถือได้ 8-Bit ขนาดกว้าง 2K สำหรับโครงการอิเล็กทรอนิกส์
US$0.05
1,000 ชิ้น(MOQ)
MP2918GF-Z ชิปวงจรรวมหน่วยความจำโมดูลอิเล็กทรอนิกส์ส่วนประกอบ
US$0.20-5.00
10 ชิ้น(MOQ)



















